2N7000

El transistor 2N7000 es un dispositivo de tipo MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) N-channel, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. Con una tensión de drenaje a fuente de hasta 60V y una corriente de drenaje de 200mA, este transistor ofrece un rendimiento eficiente y confiable. Su encapsulado TO-92 facilita la integración en prototipos y proyectos. Perfecto para aficionados y profesionales, el 2N7000 es esencial en el diseño de circuitos digitales y analógicos.

Características:

• Polaridad: Canal N
• VDS: 60 V
• VGS: 2.1 V
• ID: 200 mA

Enlaces:

• Datasheet